激子能级相关论文
Ⅲ族氮化物半导体（InN、GaN、AlN）,它们的光学带隙可以从0.7e V到6.2e V范围内连续可调,对应的波长范围覆盖了从近红外到紫外波段一......
应力工程学已经被证实是一种调制半导体材料光学和电学特性的行之有效的方法，尤其是对半导体纳米材料，由于其晶体质量高，体表比大，具有......
采用球型量子点模型, 应用有效质量近似理论, 研究了 (nc-Si/SiO2)/ SiO2多层量子点结构的激子能级和波函数。结果表明, 有限深势......
在16K至室温范围内测量了ZnSe-ZnS应变层超晶格的激子吸收谱.观测到对应于1E-1HH1E-1LH及1E-3HH跃迁的三个激子吸收峰.......
根据介质屏蔽的氢原子模型求解了单层过渡金属硫化物MoS2中A激子的结合能及能级谱图,所得结果与二维空间里的玻尔氢原子理论所得结......
我们在一个新的正交连续表象即｜η〉表象中严格求解了处于一般能带面的激子能级问题，而以往的标准作法是用Ｋ·Ｐ微扰论计算到Ｋ的二级......
